PBRN123YS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBRN123YS  📄📄 

Маркировка: N123YS

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SOT-54

 Аналоги (замена) для PBRN123YS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBRN123YS даташит

 ..1. Size:154K  nxp
 pbrn123ys pbrn123y pbrn123yk.pdf pdf_icon

PBRN123YS

PBRN123Y series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k , R2 = 10 k Rev. 01 27 February 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NXP JEITA JEDEC PBRN123YK SOT346 SC-59A TO-236 PB

 6.1. Size:150K  nxp
 pbrn123y.pdf pdf_icon

PBRN123YS

PBRN123Y series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k , R2 = 10 k Rev. 01 27 February 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NXP JEITA JEDEC PBRN123YK SOT346 SC-59A TO-236 PB

 7.1. Size:152K  nxp
 pbrn123es pbrn123e pbrn123ek.pdf pdf_icon

PBRN123YS

PBRN123E series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k Rev. 01 27 February 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NXP JEITA JEDEC PBRN123EK SOT346 SC-59A TO-236 P

 7.2. Size:148K  nxp
 pbrn123e.pdf pdf_icon

PBRN123YS

PBRN123E series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k Rev. 01 27 February 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NXP JEITA JEDEC PBRN123EK SOT346 SC-59A TO-236 P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MUN5336DW1T1G, PBRN113EK, PBRN113ES, PBRN113ZK, PBRN113ZS, PBRN123EK, PBRN123ES, PBRN123YK, BC557, PDTA113EK, PDTA113ES, PDTA113ZK, PDTA113ZS, PDTA114TK, PDTA114TS, PDTA123TK, PDTA123TS