PDTC114TK datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PDTC114TK 📄📄
Маркировка: 24
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: SOT-346
Аналоги (замена) для PDTC114TK
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PDTC114TK даташит
pdtc114tk 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D114 PDTC114TK NPN resistor-equipped transistor 1998 May 19 Product specification Supersedes data of 1997 May 28 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114TK FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit desi
pdtc114tk 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D114 PDTC114TK NPN resistor-equipped transistor 1998 May 19 Product specification Supersedes data of 1997 May 28 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114TK FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit desi
pdtc114tk pdtc114ts.pdf
PDTC114T series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k , R2 = open Rev. 08 9 February 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family. Table 1 Product overview Type number Package PNP complement Philips JEITA JEDEC PDTC114TE SOT416 SC-75 - PDTA114TE PDTC114TK SOT346 SC-59A TO-236 PDTA114TK PDTC114TM SOT883
pdtc114ts 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PDTC114TS NPN resistor-equipped transistor 1998 May 18 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114TS FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit desi
Другие транзисторы: PDTA144TEF, PDTA144TK, PDTA144TS, PDTA144VK, PDTA144VS, PDTA144WEF, PDTA144WK, PDTA144WS, TIP127, PDTC114TS, PDTC115EEF, PDTC115EK, PDTC115ES, PDTC115TK, PDTC115TS, PDTC123EEF, PDTC123EK
History: P217V
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n












