PDTC115TS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTC115TS  📄📄 

Маркировка: TC115T

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-54

 Аналоги (замена) для PDTC115TS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC115TS даташит

 ..1. Size:70K  philips
 pdtc115tk pdtc115ts.pdf pdf_icon

PDTC115TS

PDTC115T series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k , R2 = open Rev. 04 17 February 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN resistor-equipped transistors. Table 1 Product overview Type number Package PNP complement Philips JEITA PDTC115TE SOT416 SC-75 PDTA115TE PDTC115TK SOT346 SC-59A PDTA115TK PDTC115TM SOT883 SC-101 PDTA115TM [1] PD

 6.1. Size:71K  philips
 pdtc115t ser.pdf pdf_icon

PDTC115TS

PDTC115T series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k , R2 = open Rev. 04 17 February 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN resistor-equipped transistors. Table 1 Product overview Type number Package PNP complement Philips JEITA PDTC115TE SOT416 SC-75 PDTA115TE PDTC115TK SOT346 SC-59A PDTA115TK PDTC115TM SOT883 SC-101 PDTA115TM [1] PD

 7.1. Size:182K  philips
 pdtc115e series.pdf pdf_icon

PDTC115TS

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC115E series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k , R2 = 100 k Product data sheet 2004 Aug 06 Supersedes data of 2004 Apr 06 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC115E series R1 = 100 k , R2 = 100 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 7.2. Size:138K  nxp
 pdtc115eef pdtc115ek pdtc115es.pdf pdf_icon

PDTC115TS

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC115E series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k , R2 = 100 k Product data sheet 2004 Aug 06 Supersedes data of 2004 Apr 06 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC115E series R1 = 100 k , R2 = 100 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PDTA144WK, PDTA144WS, PDTC114TK, PDTC114TS, PDTC115EEF, PDTC115EK, PDTC115ES, PDTC115TK, 9014, PDTC123EEF, PDTC123EK, PDTC123ES, PDTC123TK, PDTC123TS, PDTC123YK, PDTC123YS, PDTC124TEF