Справочник транзисторов. PDTC123EK

 

Биполярный транзистор PDTC123EK Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PDTC123EK
   Маркировка: 48
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT-346
 

 Аналог (замена) для PDTC123EK

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC123EK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  nxp
 pdtc123eef pdtc123ek pdtc123es.pdf pdf_icon

PDTC123EK

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPDTC123E seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kProduct data sheet 2004 Aug 06Supersedes data of 2004 Mar 18NXP Semiconductors Product data sheetNPN resistor-equipped transistors; PDTC123E seriesR1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 6.1. Size:55K  motorola
 pdtc123et 3.pdf pdf_icon

PDTC123EK

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTC123ETNPN resistor-equipped transistor1999 May 21Product specificationSupersedes data of 1998 May 08Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC123ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k each) Simplification of circuit design Reduces number of co

 6.2. Size:182K  philips
 pdtc123e series.pdf pdf_icon

PDTC123EK

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPDTC123E seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kProduct data sheet 2004 Aug 06Supersedes data of 2004 Mar 18NXP Semiconductors Product data sheetNPN resistor-equipped transistors; PDTC123E seriesR1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 6.3. Size:55K  philips
 pdtc123et 3.pdf pdf_icon

PDTC123EK

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTC123ETNPN resistor-equipped transistor1999 May 21Product specificationSupersedes data of 1998 May 08Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC123ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k each) Simplification of circuit design Reduces number of co

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: BC307VI | MJH6285 | PDTA143ZM

 

 
Back to Top

 


 
.