PDTC123ES - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

PDTC123ES - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PDTC123ES
   Маркировка: TC123E
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT-54

 Аналоги (замена) для PDTC123ES

 

PDTC123ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  nxp
 pdtc123eef pdtc123ek pdtc123es.pdf pdf_icon

PDTC123ES

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC123E series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k Product data sheet 2004 Aug 06 Supersedes data of 2004 Mar 18 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC123E series R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 6.1. Size:55K  motorola
 pdtc123et 3.pdf pdf_icon

PDTC123ES

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTC123ET NPN resistor-equipped transistor 1999 May 21 Product specification Supersedes data of 1998 May 08 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC123ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k each) Simplification of circuit design Reduces number of co

 6.2. Size:182K  philips
 pdtc123e series.pdf pdf_icon

PDTC123ES

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC123E series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k Product data sheet 2004 Aug 06 Supersedes data of 2004 Mar 18 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC123E series R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 6.3. Size:55K  philips
 pdtc123et 3.pdf pdf_icon

PDTC123ES

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTC123ET NPN resistor-equipped transistor 1999 May 21 Product specification Supersedes data of 1998 May 08 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC123ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k each) Simplification of circuit design Reduces number of co

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PDTC114TS , PDTC115EEF , PDTC115EK , PDTC115ES , PDTC115TK , PDTC115TS , PDTC123EEF , PDTC123EK , 2SC945 , PDTC123TK , PDTC123TS , PDTC123YK , PDTC123YS , PDTC124TEF , PDTC124TK , PDTC124TS , PDTC124XEF .

 

 
Back to Top

 


 
.