PDTC124TEF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTC124TEF  📄📄 

Маркировка: 35

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-490

 Аналоги (замена) для PDTC124TEF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC124TEF даташит

 ..1. Size:134K  nxp
pdtc124tef pdtc124tk pdtc124ts.pdfpdf_icon

PDTC124TEF

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC124T series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 k , R2 = open Product data sheet 2004 Aug 13 Supersedes data of 2004 Apr 06 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC124T series R1 = 22 k , R2 = open FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT S

 6.1. Size:174K  philips
pdtc124t series.pdfpdf_icon

PDTC124TEF

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC124T series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 k , R2 = open Product data sheet 2004 Aug 13 Supersedes data of 2004 Apr 06 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC124T series R1 = 22 k , R2 = open FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT S

 7.1. Size:56K  motorola
pdtc124et 5.pdfpdf_icon

PDTC124TEF

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTC124ET NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Product specification Supersedes data of 1998 May 08 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design 3

 7.2. Size:58K  motorola
pdtc124es 2.pdfpdf_icon

PDTC124TEF

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PDTC124ES NPN resistor-equipped transistor 1998 May 08 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124ES FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k each) Simplification o

Другие транзисторы: PDTC115TS, PDTC123EEF, PDTC123EK, PDTC123ES, PDTC123TK, PDTC123TS, PDTC123YK, PDTC123YS, D880, PDTC124TK, PDTC124TS, PDTC124XEF, PDTC124XK, PDTC124XS, PDTC143TEF, PDTC143TK, PDTC143TS