PDTC143TK - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PDTC143TK
Маркировка: 52
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT-346
Аналоги (замена) для PDTC143TK
PDTC143TK Datasheet (PDF)
pdtc143tef pdtc143tk pdtc143ts.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC143T series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k , R2 = open Product data sheet 2004 Aug 06 Supersedes data of 2004 Apr 06 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC143T series R1 = 4.7 k , R2 = open FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT
pdtc143tt 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTC143TT NPN resistor-equipped transistor 1999 May 21 Product specification Supersedes data of 1998 May 29 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC143TT FEATURES PINNING Built-in bias resistor R1 (typ. 4.7 k ) PIN DESCRIPTION Simplification of circuit design 1 base/input
pdtc143t series.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC143T series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k , R2 = open Product data sheet 2004 Aug 06 Supersedes data of 2004 Apr 06 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC143T series R1 = 4.7 k , R2 = open FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT
pdtc143tt 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTC143TT NPN resistor-equipped transistor 1999 May 21 Product specification Supersedes data of 1998 May 29 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC143TT FEATURES PINNING Built-in bias resistor R1 (typ. 4.7 k ) PIN DESCRIPTION Simplification of circuit design 1 base/input
Другие транзисторы... PDTC123YS , PDTC124TEF , PDTC124TK , PDTC124TS , PDTC124XEF , PDTC124XK , PDTC124XS , PDTC143TEF , D965 , PDTC143TS , PDTC144TEF , PDTC144TK , PDTC144TS , PDTC144VK , PDTC144VS , PDTC144WEF , PDTC144WK .
History: NJVMJB44H11T4G | HEPS5024
History: NJVMJB44H11T4G | HEPS5024
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg