PDTC144VS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTC144VS  📄📄 

Маркировка: TC144V

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 4.7

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT-54

 Аналоги (замена) для PDTC144VS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC144VS даташит

 ..1. Size:138K  nxp
 pdtc144vk pdtc144vs.pdf pdf_icon

PDTC144VS

PDTC144V series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 k , R2 = 10 k Rev. 04 16 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN resistor-equipped transistors. Table 1. Product overview Type number Package PNP complement NXP JEITA PDTC144VE SOT416 SC-75 PDTA144VE PDTC144VK SOT346 SC-59A PDTA144VK PDTC144VM SOT883 SC-101 PDTA144VM PDTC144VS[1

 6.1. Size:139K  nxp
 pdtc144v.pdf pdf_icon

PDTC144VS

PDTC144V series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 k , R2 = 10 k Rev. 04 16 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN resistor-equipped transistors. Table 1. Product overview Type number Package PNP complement NXP JEITA PDTC144VE SOT416 SC-75 PDTA144VE PDTC144VK SOT346 SC-59A PDTA144VK PDTC144VM SOT883 SC-101 PDTA144VM PDTC144VS[1

 7.1. Size:54K  motorola
 pdtc144eef 1.pdf pdf_icon

PDTC144VS

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC144EEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 27 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144EEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) Simplification of circuit design 3 handbook, halfpage 3 R1 Reduces number of components

 7.2. Size:55K  motorola
 pdtc144wt 3.pdf pdf_icon

PDTC144VS

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTC144WT NPN resistor-equipped transistor 1999 May 25 Product specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144WT FEATURES PINNING Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k and 22 k PIN DESCRIPTION respectively) 1 base/input

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PDTC124XS, PDTC143TEF, PDTC143TK, PDTC143TS, PDTC144TEF, PDTC144TK, PDTC144TS, PDTC144VK, BC556, PDTC144WEF, PDTC144WK, PDTC144WS, PDTD113EK, PDTD113ES, PDTD123EK, PDTD123ES, PDTD123TK