RT1N140S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: RT1N140S 📄📄
Маркировка: N140
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: TO92S
Аналоги (замена) для RT1N140S
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
RT1N140S даташит
rt1n140c rt1n140m rt1n140s rt1n140u.pdf
Transistor RT1N140X SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING DESCRIPTION UNIT mm RT1N140X is a one chip transistor RT1N140C with built-in bias resistor, PNP type is RT1P140X. 2.8 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor (R1=10k ) APPLICATION Inverted circuit, switching circ
rt1n14bc rt1n14bm rt1n14bs rt1n14bu.pdf
Transistor RT1N14BX SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING DESCRIPTION UNIT mm RT1N14BX is one chip transistor RT1N14BC with built-in bias resistor, PNP type is RT1P14BX. 2.8 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor (R2=10k ). APPLICATION . Inverted circuit,switching circ
rt1n141c rt1n141m rt1n141s rt1n141u.pdf
Transistor RT1N141X SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING DESCRIPTION UNIT mm RT1N141X is a one chip transistor RT1N141C with built-in bias resistor,PNP type is RT1P141X. 2.8 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor (R1=10k ,R2=10k ). APPLICATION Inverted circuit,switch
rt1n14hc rt1n14hm rt1n14hs rt1n14hu.pdf
Transistor RT1N14HX SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING DESCRIPTION UNIT mm RT1N14HX is one chip transistor RT1N14HC with built-in bias resistor, PNP type is RT1P14HX. 2.8 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor (R1=10k ,R2=4.7k ). APPLICATION Inverted circuit,switch
Другие транзисторы: RT1N136C, RT1N136M, RT1N136S, RT1N136U, RT1N137P, RT1N137S, RT1N140C, RT1N140M, TIP41C, RT1N140U, RT1N141C, RT1N141M, RT1N141S, RT1N141U, RT1N144C, RT1N144M, RT1N144S
History: MJD32CG
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869





