Справочник транзисторов. RT1P234M

 

Биполярный транзистор RT1P234M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT1P234M
   Маркировка: PE
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 33
   Корпус транзистора: SC-70
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

RT1P234M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  isahaya
 rt1p234c rt1p234m rt1p234s rt1p234u.pdf pdf_icon

RT1P234M

TransistorRT1P234X SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING DESCRIPTION UNITmmRT1P234X is a one chip transistor RT1P234C with built-in bias resistor,NPN type is RT1N234X. 2.80.65 1.5 0.65FEATURE Built-in bias resistor (R1=2.2k,R2=10k). APPLICATION . Inverted circuit,swi

 8.1. Size:127K  isahaya
 rt1p230c rt1p230m rt1p230s rt1p230u.pdf pdf_icon

RT1P234M

TransistorRT1P230X SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING DESCRIPTION UNITmmRT1P230X is a one chip transistor RT1P230C with built-in bias resistor,NPN type is RT1N230X. 2.80.65 1.5 0.65FEATURE Built-in bias resistor (R1=2.2k). APPLICATION . Inverted circuit,switching ci

 8.2. Size:127K  isahaya
 rt1p237c rt1p237m rt1p237s rt1p237u.pdf pdf_icon

RT1P234M

TransistorRT1P237X SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING DESCRIPTION UNITmmRT1P237X is a one chip transistor RT1P237C with built-in bias resistor,NPN type is RT1N237X. 2.80.65 1.5 0.65FEATURE Built-in bias resistor (R1=2.2k,R2=47k). APPLICATION . Inverted circuit,swi

 8.3. Size:131K  isahaya
 rt1p231c rt1p231m rt1p231s rt1p231u.pdf pdf_icon

RT1P234M

TransistorRT1P231X SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING DESCRIPTION UNITmmRT1P231X is a one chip transistor RT1P231C with built-in bias resistor,NPN type is RT1N231X. 2.80.65 1.5 0.65FEATURE Built-in bias resistor (R1=2.2k,R2=2.2k). APPLICATION . Inverted circuit,sw

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: GE10009 | DTC123JEB | 2SC765 | NKT108 | KRC663U | 2SB443A | 2N5862

 

 
Back to Top

 


 
.