RT1P431M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RT1P431M

Маркировка: PF

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: SC-70

 Аналоги (замена) для RT1P431M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT1P431M даташит

 ..1. Size:156K  isahaya
 rt1p431c rt1p431m rt1p431s.pdf pdf_icon

RT1P431M

Transistor RT1P431X SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING DESCRIPTION UNIT mm RT1P431X is a one chip transistor RT1P431C with built-in bias resistor,NPN type is RT1N431X. 2.8 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k ,R2=4.7k ). APPLICATION Inverted circuit,s

 8.1. Size:127K  isahaya
 rt1p430c rt1p430m rt1p430s rt1p430u.pdf pdf_icon

RT1P431M

Transistor RT1P430X SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING DESCRIPTION UNIT mm RT1P430X is a one chip transistor RT1P430C with built-in bias resistor,NPN type is RT1N430X. 2.8 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k ). APPLICATION . Inverted circuit,switching ci

 8.2. Size:128K  isahaya
 rt1p434c rt1p434m rt1p434s rt1p434u.pdf pdf_icon

RT1P431M

Transistor RT1P434X SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING DESCRIPTION UNIT mm RT1P434X is a one chip transistor RT1P434C with built-in bias resistor,NPN type is RT1N434X. 2.8 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k ,R2=22k ). APPLICATION . Inverted circuit,swi

 8.3. Size:167K  isahaya
 rt1p436c rt1p436m rt1p436s rt1p436u.pdf pdf_icon

RT1P431M

Transistor RT1P436X SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT mm RT1P436X is a one chip transistor RT1P436C with built-in bias resistor,NPN type is RT1N436X. 2.8 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k ,R2=47k ). APPLICATION . Inverted circuit,switc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RT1P250M, RT1P250S, RT1P250U, RT1P430C, RT1P430M, RT1P430S, RT1P430U, RT1P431C, D882P, RT1P431S, RT1P432C, RT1P432M, RT1P432S, RT1P432U, RT1P434C, RT1P434M, RT1P434S