RT1P434U - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RT1P434U
Маркировка: P4
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SC-75A
RT1P434U Datasheet (PDF)
rt1p434c rt1p434m rt1p434s rt1p434u.pdf
Transistor RT1P434X SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING DESCRIPTION UNIT mm RT1P434X is a one chip transistor RT1P434C with built-in bias resistor,NPN type is RT1N434X. 2.8 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k ,R2=22k ). APPLICATION . Inverted circuit,swi
rt1p430c rt1p430m rt1p430s rt1p430u.pdf
Transistor RT1P430X SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING DESCRIPTION UNIT mm RT1P430X is a one chip transistor RT1P430C with built-in bias resistor,NPN type is RT1N430X. 2.8 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k ). APPLICATION . Inverted circuit,switching ci
rt1p436c rt1p436m rt1p436s rt1p436u.pdf
Transistor RT1P436X SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT mm RT1P436X is a one chip transistor RT1P436C with built-in bias resistor,NPN type is RT1N436X. 2.8 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k ,R2=47k ). APPLICATION . Inverted circuit,switc
rt1p432c rt1p432m rt1p432s rt1p432u.pdf
Transistor RT1P432X SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING DESCRIPTION UNIT mm RT1P432X is a one chip transistor RT1P432C with built-in bias resistor,NPN type is RT1N432X. 2.8 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k ,R2=10k ). APPLICATION . Inverted circuit,swi
Другие транзисторы... RT1P431S , RT1P432C , RT1P432M , RT1P432S , RT1P432U , RT1P434C , RT1P434M , RT1P434S , BC547 , RT1P436C , RT1P436M , RT1P436S , RT1P436U , RT1P440C , RT1P440M , RT1P440S , RT1P440U .
History: BFV84 | U2TB406 | 2N3999 | 40611 | 2SD2026 | ASY90-2 | NTE2544
History: BFV84 | U2TB406 | 2N3999 | 40611 | 2SD2026 | ASY90-2 | NTE2544
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent






