Справочник транзисторов. RT2N06M

 

Биполярный транзистор RT2N06M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT2N06M
   Маркировка: NA
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
   Корпус транзистора: SC-88A
 

 Аналог (замена) для RT2N06M

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT2N06M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  isahaya
rt2n06m.pdfpdf_icon

RT2N06M

RT2N06M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N06M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=100k, R2=100k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Int

 9.1. Size:190K  isahaya
rt2n09m.pdfpdf_icon

RT2N06M

RT2N09M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N09M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=2.2k, R2=47k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inte

 9.2. Size:202K  isahaya
rt2n04m.pdfpdf_icon

RT2N06M

RT2N04M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N04M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=22k, R2=22k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inter

 9.3. Size:190K  isahaya
rt2n02m.pdfpdf_icon

RT2N06M

RT2N02M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N02M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k, R2=4.7k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Int

Другие транзисторы... RT1P44QM , RT1P44QS , RT1P44QU , RT2N01M , RT2N02M , RT2N03M , RT2N04M , RT2N05M , 2SC2073 , RT2N07M , RT2N08M , RT2N09M , RT2N10M , RT2N11M , RT2N12M , RT2N13M , RT2N14M .

History: FCX688B | DDTA114TKA | BFY79

 

 
Back to Top

 


 
.