Справочник транзисторов. RT2N20M

 

Биполярный транзистор RT2N20M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT2N20M
   Маркировка: N6
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SC-88A
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

RT2N20M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  isahaya
 rt2n20m.pdf pdf_icon

RT2N20M

RT2N20M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N20M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Interface circu

 9.1. Size:164K  isahaya
 rt2n24m.pdf pdf_icon

RT2N20M

RT2N24M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N24M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=100k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Interface circu

 9.2. Size:163K  isahaya
 rt2n25m.pdf pdf_icon

RT2N20M

RT2N25M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N25M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=200k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Interface circu

 9.3. Size:163K  isahaya
 rt2n26m.pdf pdf_icon

RT2N20M

RT2N26M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N26M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R2=10k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Interface circui

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .

History: FTA928A | BCX76-16 | MP5693 | 2N2729

 

 
Back to Top

 


 
.