RT2N29M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT2N29M

Маркировка: NX

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: SC-88A

 Аналоги (замена) для RT2N29M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT2N29M даташит

 ..1. Size:165K  isahaya
 rt2n29m.pdf pdf_icon

RT2N29M

RT2N29M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT2N29M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R2=100k ) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Interface circu

 9.1. Size:164K  isahaya
 rt2n24m.pdf pdf_icon

RT2N29M

RT2N24M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT2N24M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=100k ) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Interface circu

 9.2. Size:163K  isahaya
 rt2n25m.pdf pdf_icon

RT2N29M

RT2N25M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT2N25M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=200k ) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Interface circu

 9.3. Size:163K  isahaya
 rt2n26m.pdf pdf_icon

RT2N29M

RT2N26M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT2N26M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R2=10k ) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Interface circui

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RT2N21M, RT2N22M, RT2N23M, RT2N24M, RT2N25M, RT2N26M, RT2N27M, RT2N28M, 2SD2499, RT2N62M, RT2N63M, RT2N65M, RT2P01M, RT2P02M, RT2P03M, RT2P04M, RT2P05M