RT2P13M. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: RT2P13M
Маркировка: PJ
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 24
Корпус транзистора: SC-88A
Аналоги (замена) для RT2P13M
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
RT2P13M даташит
rt2p13m.pdf
RT2P13M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT2P13M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=10k , R2=4.7k ) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inte
rt2p16m.pdf
RT2P16M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT2P16M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=47k , R2=10k ) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inter
rt2p14m.pdf
RT2P14M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT2P14M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=10k , R2=47k ) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inter
rt2p12m.pdf
RT2P12M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT2P12M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k , R2=47k ) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inte
Другие транзисторы: RT2P05M, RT2P06M, RT2P07M, RT2P08M, RT2P09M, RT2P10M, RT2P11M, RT2P12M, 2222A, RT2P14M, RT2P15M, RT2P16M, RT2P17M, RT2P18M, RT2P19M, RT2P20M, RT2P22M
History: RT2P15M
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435










