RT2P19M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT2P19M

Маркировка: PL

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC-88A

 Аналоги (замена) для RT2P19M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT2P19M даташит

 ..1. Size:164K  isahaya
 rt2p19m.pdf pdf_icon

RT2P19M

RT2P19M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT2P19M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=2.2k ) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Interface circu

 9.1. Size:165K  isahaya
 rt2p16m.pdf pdf_icon

RT2P19M

RT2P16M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT2P16M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=47k , R2=10k ) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inter

 9.2. Size:201K  isahaya
 rt2p14m.pdf pdf_icon

RT2P19M

RT2P14M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT2P14M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=10k , R2=47k ) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inter

 9.3. Size:205K  isahaya
 rt2p12m.pdf pdf_icon

RT2P19M

RT2P12M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT2P12M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k , R2=47k ) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inte

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RT2P11M, RT2P12M, RT2P13M, RT2P14M, RT2P15M, RT2P16M, RT2P17M, RT2P18M, BC549, RT2P20M, RT2P22M, RT2P24M, RT2P25M, RT2P26M, RT2P27M, RT2P28M, RT2P29M