Справочник транзисторов. RT3N22M

 

Биполярный транзистор RT3N22M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT3N22M
   Маркировка: N22
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3N22M

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3N22M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  isahaya
 rt3n22m.pdf pdf_icon

RT3N22M

RT3N22M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT3N22M is composite transistor built with two 1.25 RT1N241 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver

Другие транзисторы... RT2P22M , RT2P24M , RT2P25M , RT2P26M , RT2P27M , RT2P28M , RT2P29M , RT3N11M , 13001-A , RT3N33M , RT3N44M , RT3N55M , RT3N66M , RT3N77M , RT3NAAM , RT3NBBM , RT3NCCM .

History: BC212 | BC213A | NA21FY | UPTB540 | KSP77 | GT335D | D7ST5010

 

 
Back to Top

 


 
.