RT3NAAM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3NAAM

Маркировка: NAA

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для RT3NAAM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3NAAM даташит

 ..1. Size:189K  isahaya
 rt3naam.pdf pdf_icon

RT3NAAM

RT3NAAM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT3NAAM is composite transistor built with two 1.25 RT1N151 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver

Другие транзисторы: RT2P29M, RT3N11M, RT3N22M, RT3N33M, RT3N44M, RT3N55M, RT3N66M, RT3N77M, D882P, RT3NBBM, RT3NCCM, RT3NDDM, RT3NEEM, RT3NFFM, RT3NGGM, RT3NHHM, RT3NJJM