RT3NEEM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3NEEM

Маркировка: NEE

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 33

Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для RT3NEEM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3NEEM даташит

 ..1. Size:219K  isahaya
 rt3neem.pdf pdf_icon

RT3NEEM

RT3NEEM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT3NEEM is composite transistor built with two 1.25 RT1N234 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver

Другие транзисторы: RT3N44M, RT3N55M, RT3N66M, RT3N77M, RT3NAAM, RT3NBBM, RT3NCCM, RT3NDDM, A42, RT3NFFM, RT3NGGM, RT3NHHM, RT3NJJM, RT3NKKM, RT3NLLM, RT3NMMM, RT3NNNM