Справочник транзисторов. RT3NNNM

 

Биполярный транзистор RT3NNNM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT3NNNM
   Маркировка: NNN
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
   Корпус транзистора: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3NNNM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3NNNM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  isahaya
 rt3nnnm.pdf pdf_icon

RT3NNNM

RT3NNNM Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT3NNNM is composite transistor built with two 1.25 RT1N44H chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver

Другие транзисторы... RT3NEEM , RT3NFFM , RT3NGGM , RT3NHHM , RT3NJJM , RT3NKKM , RT3NLLM , RT3NMMM , 2N5551 , RT3NPPM , RT3NQQM , RT3NRRM , RT3NSSM , RT3NTTM , RT3NUUM , RT3NVVM , RT3NWWM .

History: 2S304 | SML4015 | 2N2331S

 

 
Back to Top

 


 
.