RT3NSSM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3NSSM

Маркировка: NSS

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для RT3NSSM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3NSSM даташит

 ..1. Size:187K  isahaya
 rt3nssm.pdf pdf_icon

RT3NSSM

RT3NSSM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT3NSSM is composite transistor built with two 1.25 RT1N150 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver

Другие транзисторы: RT3NJJM, RT3NKKM, RT3NLLM, RT3NMMM, RT3NNNM, RT3NPPM, RT3NQQM, RT3NRRM, C945, RT3NTTM, RT3NUUM, RT3NVVM, RT3NWWM, RT3NXXM, RT3P11M, RT3P33M, RT3P55M