Справочник транзисторов. RT3NSSM

 

Биполярный транзистор RT3NSSM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT3NSSM
   Маркировка: NSS
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3NSSM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3NSSM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  isahaya
 rt3nssm.pdf pdf_icon

RT3NSSM

RT3NSSM Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT3NSSM is composite transistor built with two 1.25 RT1N150 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver

Другие транзисторы... RT3NJJM , RT3NKKM , RT3NLLM , RT3NMMM , RT3NNNM , RT3NPPM , RT3NQQM , RT3NRRM , 2N5401 , RT3NTTM , RT3NUUM , RT3NVVM , RT3NWWM , RT3NXXM , RT3P11M , RT3P33M , RT3P55M .

 

 
Back to Top

 


 
.