Справочник транзисторов. RT3NWWM

 

Биполярный транзистор RT3NWWM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT3NWWM
   Маркировка: NWW
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3NWWM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3NWWM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  isahaya
 rt3nwwm.pdf pdf_icon

RT3NWWM

RT3NWWM Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT3NWWM is composite transistor built with two 1.25 RT1N44B chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top

 


 
.