Справочник транзисторов. RT3P66M

 

Биполярный транзистор RT3P66M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT3P66M
   Маркировка: T66
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3P66M

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3P66M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  isahaya
 rt3p66m.pdf pdf_icon

RT3P66M

PRELIMINARY RT3P66M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3P66M is compound transistor built with two RT1P430 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switching circuit,

Другие транзисторы... RT3NTTM , RT3NUUM , RT3NVVM , RT3NWWM , RT3NXXM , RT3P11M , RT3P33M , RT3P55M , BC337 , RT3P77M , RT3PDDM , RT3PEEM , RT3PFFM , RT3PRRM , RT3T11M , RT3T14M , RT3T22M .

History: 2N3503 | BC546B | RT5P230C | 2SA78 | S601T

 

 
Back to Top

 


 
.