RT3P66M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3P66M

Маркировка: T66

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для RT3P66M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3P66M даташит

 ..1. Size:158K  isahaya
 rt3p66m.pdf pdf_icon

RT3P66M

PRELIMINARY RT3P66M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3P66M is compound transistor built with two RT1P430 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switching circuit,

Другие транзисторы: RT3NTTM, RT3NUUM, RT3NVVM, RT3NWWM, RT3NXXM, RT3P11M, RT3P33M, RT3P55M, 2SA1943, RT3P77M, RT3PDDM, RT3PEEM, RT3PFFM, RT3PRRM, RT3T11M, RT3T14M, RT3T22M