RT5N431C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT5N431C

Маркировка: N3

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 47

Корпус транзистора: SC-59

 Аналоги (замена) для RT5N431C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT5N431C даташит

 ..1. Size:130K  isahaya
 rt5n431c.pdf pdf_icon

RT5N431C

RT5N431C Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm 2.8 RT5N431C is a one chip transistor with built-in bias 0.65 1.5 0.65 resistor, PNP type is RT5P431C. FEATURE Built-in bias resistor R =4.7k , R =4.7k 1 2 High collector current Ic=0.5A Mini package for easy mounting

 8.1. Size:135K  isahaya
 rt5n430c.pdf pdf_icon

RT5N431C

PRELIMINARY RT5N430C Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION RT5N430C is a one chip transistor with built-in bias 2.8 resistor, PNP type is RT5P430C. 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor R =4.7k 1 High collector current Ic=0.5A Mini package for easy mounting A

Другие транзисторы: RT5N14BC, RT5N227C, RT5N230C, RT5N231C, RT5N234C, RT5N234S, RT5N333C, RT5N430C, 2SD313, UN211L, RT5P136C, RT5P141C, RT5P14BC, RT5P230C, RT5P231C, RT5P234C, RT5P430C