RT5P431C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT5P431C

Маркировка: P3

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 47

Корпус транзистора: SC-59

 Аналоги (замена) для RT5P431C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT5P431C даташит

 ..1. Size:146K  isahaya
 rt5p431c.pdf pdf_icon

RT5P431C

RT5P431C Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm 2.8 RT5P431C is a one chip transistor with built-in bias 0.65 1.5 0.65 resistor. FEATURE Built-in bias resistor R =4.7k , R =4.7k 1 2 High collector current Ic=-0.5A Mini package for easy mounting APPLICATION Inve

 7.1. Size:146K  isahaya
 rt5p431s.pdf pdf_icon

RT5P431C

RT5P431S Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT5P431S is a one chip transistor with built-in bias 4.0 resistor. FEATURE Built-in bias resistor R =4.7k , R =4.7k 1 2 0.1 High collector current Ic=-0.5A 0.45 Mini package for easy mounting 2.5 2.5 APPLICATION Inverted circ

 8.1. Size:255K  isahaya
 rt5p430c.pdf pdf_icon

RT5P431C

Другие транзисторы: UN211L, RT5P136C, RT5P141C, RT5P14BC, RT5P230C, RT5P231C, RT5P234C, RT5P430C, A1013, RT5P431S, RTAN140C, RTAN140M, RTAN140U, RTAN230C, RTAN230M, RTAN230U, RTAN430C