RTBN141AP1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RTBN141AP1

Маркировка: NL

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SC-62

 Аналоги (замена) для RTBN141AP1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RTBN141AP1 даташит

 ..1. Size:111K  isahaya
rtbn141ap1.pdfpdf_icon

RTBN141AP1

 8.1. Size:111K  isahaya
rtbn14bap1.pdfpdf_icon

RTBN141AP1

 9.1. Size:112K  isahaya
rtbn131ap1.pdfpdf_icon

RTBN141AP1

Другие транзисторы: RTAN140U, RTAN230C, RTAN230M, RTAN230U, RTAN430C, RTAN430M, RTAN430U, RTBN131AP1, 2SD669A, RTBN14BAP1, RTBN226AP1, RTBN234AP1, RTBN426AP1, RTBN432AP1, RTGN131AP, RTGN141AP, RTGN14BAP