UMB11NFHA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UMB11NFHA

Маркировка: B11

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: SOT-353

 Аналоги (замена) для UMB11NFHA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMB11NFHA даташит

 ..1. Size:1296K  rohm
 umb11nfha.pdf pdf_icon

UMB11NFHA

EMB11FHA / UMB11NFHA / IMB11AFRA EMB11 / UMB11N / IMB11A Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCC -50V (4) (4) (1) (1) (2) IC(MAX.) (2) -100mA (3) (3) R1 10kW EMB11 UMB11N EMB11FHA UMB11NFHA R2 10kW (SC-107C) SOT-353 (S

 ..2. Size:1340K  rohm
 emb11fha umb11nfha imb11afra.pdf pdf_icon

UMB11NFHA

EMB11FHA / UMB11NFHA / IMB11AFRA EMB11 / UMB11N / IMB11A Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCC -50V (4) (4) (1) (1) (2) IC(MAX.) (2) -100mA (3) (3) R1 10kW EMB11 UMB11N EMB11FHA UMB11NFHA R2 10kW (SC-107C) SOT-353 (S

 8.1. Size:69K  rohm
 emb11 umb11n imb11a umb11n.pdf pdf_icon

UMB11NFHA

EMB11 / UMB11N / IMB11A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB11 / UMB11N / IMB11A Features External dimensions (Unit mm) 1) Two DTA114E chips in a EMT or UMT or SMT EMB11 package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (4) (3) (5) (2) automatic mounting machines. (6) (1) 1.2 1.6 3) Transistor elements are independent, eliminating inte

 8.2. Size:62K  rohm
 umb11n imb11a b11 sot23-6 sot363.pdf pdf_icon

UMB11NFHA

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMB11N / IMB11A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTA114Es in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type PNP silic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RTGN131AP, RTGN141AP, RTGN14BAP, RTGN226AP, RTGN234AP, RTGN426AP, RTGN432P, UMB10NFHA, 431, UMB2NFHA, UMB3NFHA, UMB4NFHA, UMB6NFHA, UMC2NT1G, UMC3NT1G, UMC5NT1G, UMD12N