UMB2NFHA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UMB2NFHA

Маркировка: B2

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SOT-353

 Аналоги (замена) для UMB2NFHA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMB2NFHA даташит

 ..1. Size:1295K  rohm
 umb2nfha.pdf pdf_icon

UMB2NFHA

EMB2 / UMB2N / IMB2A EMB2FHA / UMB2NFHA / IMB2AFRA Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCC -50V (4) (4) (1) (1) (2) IC(MAX.) (2) -100mA (3) (3) R1 47kW EMB2 UMB2N EMB2FHA UMB2NFHA R2 47kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SM

 ..2. Size:1340K  rohm
 emb2fha umb2nfha imb2afra.pdf pdf_icon

UMB2NFHA

EMB2 / UMB2N / IMB2A EMB2FHA / UMB2NFHA / IMB2AFRA Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCC -50V (4) (4) (1) (1) (2) IC(MAX.) (2) -100mA (3) (3) R1 47kW EMB2 UMB2N EMB2FHA UMB2NFHA R2 47kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SM

 9.1. Size:62K  rohm
 umb2n imb2a b2 sot363 sot23-6.pdf pdf_icon

UMB2NFHA

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMB2N / IMB2A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTA144E chips in a UMT or SMT package. 2) Same size as UMT3 or SMT3 pack- age, so same mounting machine can be used for both. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon transistor (Built-in res

 9.2. Size:68K  rohm
 emb2 umb2n imb2a umb2n.pdf pdf_icon

UMB2NFHA

EMB2 / UMB2N / IMB2A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB2 / UMB2N / IMB2A External dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTA144E chips in a EMT or UMT or SMT EMB2 package. (4) ( ) 3 (5) (2) 2) Same size as EMT3 or UMT3 or SMT3 package, so (6) ( ) 1 1.2 same mounting machine can be used for both. 1.6 3) Transistor elements are independent,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RTGN141AP, RTGN14BAP, RTGN226AP, RTGN234AP, RTGN426AP, RTGN432P, UMB10NFHA, UMB11NFHA, S9018, UMB3NFHA, UMB4NFHA, UMB6NFHA, UMC2NT1G, UMC3NT1G, UMC5NT1G, UMD12N, UMD12NFHA