UMD2NFHA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: UMD2NFHA
Маркировка: D2
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56
Корпус транзистора: SOT-353
Аналоги (замена) для UMD2NFHA
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
UMD2NFHA даташит
emd2fha umd2nfha.pdf
EMD2FHA / UMD2NFHA / IMD2AFRA EMD2 / UMD2N / IMD2A Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Value (6) (6) (5) (5) (4) (4) VCC 50V (1) (1) (2) IC(MAX.) 100mA (2) (3) (3) R1 22kW EMD2 UMD2N EMD2FHA UMD2NFHA (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 22kW SMT6 (4)
emd2fha umd2nfha imd2afra.pdf
EMD2FHA / UMD2NFHA / IMD2AFRA EMD2 / UMD2N / IMD2A Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Value (6) (6) (5) (5) (4) (4) VCC 50V (1) (1) (2) IC(MAX.) 100mA (2) (3) (3) R1 22kW EMD2 UMD2N EMD2FHA UMD2NFHA (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 22kW SMT6 (4)
emd2 umd2n.pdf
EMD2 / UMD2N / IMD2A Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline EMT6 UMT6 Parameter Value (6) (6) (5) (5) (4) (4) VCC 50V (1) (1) (2) IC(MAX.) 100mA (2) (3) (3) R1 22kW EMD2 UMD2N (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 22kW SMT6 (4) (5) (6) (3) Parameter Valu
emd2 umd2n imd2a.pdf
EMD2 / UMD2N / IMD2A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMD2 / UMD2N / IMD2A Features Dimensions (Unit mm) 1) Both the DTA124E chip and DTC124E chip in a EMT EMD2 or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT6 or UMT6 or SMT6 (6) (5) (4) automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating (1) (2) (3) interferen
Другие транзисторы: UMB6NFHA, UMC2NT1G, UMC3NT1G, UMC5NT1G, UMD12N, UMD12NFHA, UMD22N, UMD22NFHA, BD222, UMD3NFHA, UMD4N, UMD5N, UMD6NFHA, UMD9NFHA, UMH10NFHA, UMH11NFHA, UMH14N
History: UMH10NFHA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor







