Биполярный транзистор UMH1NFHA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UMH1NFHA
Маркировка: H1
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
Корпус транзистора: SOT-353
UMH1NFHA Datasheet (PDF)
emh1fha umh1nfha.pdf
EMH1FHA / UMH1NFHA / IMH1AFRAEMH1 / UMH1N / IMH1ADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) VCC (5) 50V (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) (2) 100mA (2) (3) (3) R122kWEMH1 UMH1NEMH1FHA UMH1NFHAR2(SC-107C) 22kW SOT-353 (SC-88) SMT6(
emh1fha umh1nfha imh1afra.pdf
EMH1FHA / UMH1NFHA / IMH1AFRAEMH1 / UMH1N / IMH1ADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) VCC (5) 50V (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) (2) 100mA (2) (3) (3) R122kWEMH1 UMH1NEMH1FHA UMH1NFHAR2(SC-107C) 22kW SOT-353 (SC-88) SMT6(
umh1n imh1a h1 sot363 sot23-6.pdf
UMG1N / UMH1N / UMH5N / FMG1A / IMH1A / IMH5ATransistorsGeneral purpose (dual digital transistors)UMG1N / UMH1N / UMH5N / FMG1A / IMH1A / IMH5A External dimensions (Units : mm) Features1) Two DTA124E chips in a UMT or SMT package.UMG1N1.25 Absolute maximum ratings (Ta = 25C)2.1Parameter Symbol Limits UnitSupply voltage VCC 50 V0.1Min.40ROHM : UMT5Input voltage
emh1 umh1n imh1a.pdf
EMH1 / UMH1N / IMH1A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMH1 / UMH1N / IMH1A External dimensions (Unit : mm) Features 1) Two DTC124E chips in a EMT or UMT or SMT UMH1N package. 1.25 Circuit schematic 2.1EMH1 / UMH1N IMH1A(3) (2) (1) (4) (5) (6) 0.1Min.R1 R2 R1 R2ROHM : UMT6 Each lead has same dimensionsEIAJ : SC-88R2 R2R1 R1(4) (5) (6)
umh1n.pdf
MCCTMMicro Commercial ComponentsUMH1NMicro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Two DTC124E chip in a package Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines. Digital Transistors Transistor elements are independent, eliminating interference. Lead Free Finish/RoHS Compli
umh1n.pdf
UMH1N 0.15 W, 30 mA, 50 V General purpose transistors (dual transistors) Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES SOT-363o.055(1.40) Two DTC124E chip in a package. 8.047(1.20) .026TYP 0o(0.65TYP) Transistor elements are independent, eliminating interference. .021REF(0.525)REF Mounting cost
umh1n.pdf
UMH1N General purpose transistors (dual transistors)SOT-363 FEATURES Two DTC124E chip in a package 1 Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area be cut in half. Marking: H1 Equivalent circuit Absolute maximum ratings(Ta=25) Parameter Symbol Limits UnitSupply
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050