2SA2122G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA2122G

Маркировка: 7L

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: SMINI3-F2

 Аналоги (замена) для 2SA2122G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA2122G даташит

 ..1. Size:359K  panasonic
2sa2122g.pdfpdf_icon

2SA2122G

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). Transistors 2SA2122G Silicon PNP epitaxial planar type For general amplification Complementary to 2SC5950G Package Features Code High forward current transfer ratio hFE Smini typ package, allowing downsizing of the equipment and automatic SMini3-F2 Marking symbol 7L insertion through the tape

 8.1. Size:177K  toshiba
2sa2120.pdfpdf_icon

2SA2122G

2SA2120 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type 2SA2120 Power Amplifier Applications Unit mm Complementary to 2SC5948 Recommended for audio frequency amplifier output stage. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit VCBO Collector-base voltage -200 V VCEO Collector-emitter voltage -200 V VEBO Emitter-base voltage -5 V

 8.2. Size:158K  toshiba
2sa2121.pdfpdf_icon

2SA2122G

2SA2121 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type 2SA2121 Power Amplifier Applications Unit mm Complementary to 2SC5949 Recommended for audio frequency amplifier output stage. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -200 V Collector-emitter voltage VCEO -200 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector

 8.3. Size:33K  sanyo
2sa2127.pdfpdf_icon

2SA2122G

Ordering number ENN8022 2SA2127 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA2127 High-Current Switching Applications Applications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment. Features Adoption of MBIT process. Low saturation voltage. High current capacity and wide ASO. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Co

Другие транзисторы: ST1802FH, ST1803DHI, ST1803DFH, PTE20124, KSB798O, KSB798Y, KSB798G, 183T2C, 2N2907, 2SC5487, 2SC5996A, 2SC5996B, 30C02S, CH848BPTP, CH848BPTQ, CH848BPTY, CHDTC144GKPT