2SC5996A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC5996A

Маркировка: 5A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SC70

 Аналоги (замена) для 2SC5996A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5996A даташит

 7.1. Size:70K  isahaya
 2sc5996.pdf pdf_icon

2SC5996A

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR 2SC5996 FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE Unit mm OUTLINE DRAWING DESCRIPTION ISAHAYA 2SC5996 is a super mini package resin sealed 2.1 silicon NPN epitaxial transistor for muting and switching. 0.425 0.425 application FEATURE High Emitter to Base voltage VEBO=50V High Reverse hFE Low ON RESIST

 8.1. Size:37K  sanyo
 2sc5999.pdf pdf_icon

2SC5996A

Ordering number ENN8029 2SC5999 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SC5999 High-Current Switching Applications Applications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverters. Features Adoption of MBIT process. Large current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. Surface mount type. Specifications Absolute

 8.2. Size:254K  sanyo
 2sc5994.pdf pdf_icon

2SC5996A

Ordering number ENN8035 2SC5994 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5994 High-Current Switching Applications Applications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment. Features Adoption of MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. Specifications Absolute Maximum Rat

 8.3. Size:104K  renesas
 2sc5998.pdf pdf_icon

2SC5996A

2SC5998 Silicon NPN Epitaxial High Frequency Medium Power Amplifier REJ03G0169-0100Z Rev.1.00 Apr.20.2004 Features High Transition Frequency fT = 11 GHz typ. High gain and Excellent Efficiency Maximum Available Gain (MAG) = +22 dB typ. at VCE = 3.6 V, IC= 100 mA, f = 500 MHz Power Added Efficiency (PAE) = 70% typ. at Pin=+16 dBm, f = 500 MHz High Collector to Emitter Vol

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: ST1803DFH, PTE20124, KSB798O, KSB798Y, KSB798G, 183T2C, 2SA2122G, 2SC5487, 2SC828, 2SC5996B, 30C02S, CH848BPTP, CH848BPTQ, CH848BPTY, CHDTC144GKPT, CHT817WPTQ, CHT817WPTR