CH848BPTQ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CH848BPTQ

Маркировка: 1K

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT23 SC59

 Аналоги (замена) для CH848BPTQ

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CH848BPTQ даташит

 6.1. Size:215K  chenmko
 ch848bpt.pdf pdf_icon

CH848BPTQ

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CH848BPT SURFACE MOUNT NPN General Purpose Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 0.1 Ampere APPLICATION * AF input stages and driver applicationon equipment. * Other general purpose applications. FEATURE SOT-23 * Small surface mounting type. (SOT-23) * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (1) * Hig

 8.1. Size:230K  chenmko
 ch848bgp.pdf pdf_icon

CH848BPTQ

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CH848BGP SURFACE MOUNT NPN General Purpose Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 0.1 Ampere APPLICATION * AF input stages and driver applicationon equipment. * Other general purpose applications. FEATURE SOT-23 * Small surface mounting type. (SOT-23) * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (1) * Hig

Другие транзисторы: KSB798G, 183T2C, 2SA2122G, 2SC5487, 2SC5996A, 2SC5996B, 30C02S, CH848BPTP, MJE350, CH848BPTY, CHDTC144GKPT, CHT817WPTQ, CHT817WPTR, CHT817WPTS, CHT846BPTQ, CHT846BPTR, CHT846BPTS