Справочник транзисторов. 2SA112

 

Биполярный транзистор 2SA112 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA112
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.08 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
   Корпус транзистора: TO44
 

 Аналог (замена) для 2SA112

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA112 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:86K  renesas
r07ds0271ej 2sa1121-1.pdfpdf_icon

2SA112

Preliminary Datasheet R07DS0271EJ03002SA1121 (Previous: REJ03G0636-0200)Rev.3.00Silicon PNP Epitaxial Mar 28, 2011Application Low frequency amplifier Complementary pair with 2SC2618 Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)1. Emitter32. Base3. Collector12Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Item Symbol Ratings UnitCollec

 0.2. Size:103K  nec
2sa1129.pdfpdf_icon

2SA112

DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SA1129PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHINGThe 2SA1129 is a mold power transistor developed for mid-speed ORDERING INFORMATIONswitching, and is ideal for use as a ramp driver.Part No. Package2SA1129 TO-220ABFEATURES Large current capacity with small package: IC(DC) = -7.0 A(TO-220AB)

 0.3. Size:40K  panasonic
2sa1124 e.pdfpdf_icon

2SA112

Transistor2SA1124Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency high breakdown voltage amplificationUnit: mmComplementary to 2SC26325.9 0.2 4.9 0.2FeaturesSatisfactory foward current transfer ratio hFE collector current ICcharacteristics.High collector to emitter voltage VCEO.0.7 0.1Small collector output capacitance Cob.Makes up a complementary pair with 2SC

 0.4. Size:36K  panasonic
2sa1128.pdfpdf_icon

2SA112

Transistor2SA1128Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency output amplificationUnit: mm5.0 0.2 4.0 0.2FeaturesLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Optimum for low-voltage operation and for converter circuits.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings Unit+0.2 +0.2Collector to base voltage VCBO 25 V0.45 0.1 0.45 0.1

Другие транзисторы... 2SA1110 , 2SA1111 , 2SA1112 , 2SA1113 , 2SA1114 , 2SA1115 , 2SA1116 , 2SA1117 , 2SC2073 , 2SA1120 , 2SA1121 , 2SA1121B , 2SA1121C , 2SA1121D , 2SA1122 , 2SA1122C , 2SA1122D .

History: GSTU6035 | 2N2369CSM

 

 
Back to Top

 


 
.