Биполярный транзистор RD9FE-T Даташит. Аналоги
Наименование производителя: RD9FE-T
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 42 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 22 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 560
Корпус транзистора: TO126
RD9FE-T Datasheet (PDF)
rd9fe.pdf

SHENZHEN HAOLIN ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors RD9FE TRANSISTOR (NPN) TO-126 FEATURES Audio amplifier Flash unit of camera 1. EMITTER Switching circuit 2. COLLECTOR 3. BASE 1 2 3 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 42 V VCEO Collector-Emitter Voltage 22
rd9fe.pdf

SHENZHEN HAOLIN ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors RD9FE TRANSISTOR (NPN) TO-126 FEATURES Audio amplifier Flash unit of camera 1. EMITTER Switching circuit 2. COLLECTOR 3. BASE 1 2 3 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 42 V VCEO Collector-Emitter Voltage 22
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement