3CF20D - описание и поиск аналогов

 

3CF20D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CF20D

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO-3

 Аналоги (замена) для 3CF20D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CF20D даташит

 ..1. Size:182K  inchange semiconductor
 3cf20d.pdf pdf_icon

3CF20D

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 3CF20D DESCRIPTION Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VA

Другие транзисторы: 2SD1804L-T, 2SD2901, 2ST501T, 3CD9A, 3CD9B, 3CD9C, 3CD9D, 3CD9F, 2SC5198, 3DA98, 3DA98J, 3DD100A, 3DD100B, 3DD100C, 3DD100D, 3DD100E, 3DD101A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.