Справочник транзисторов. 3DA98

 

Биполярный транзистор 3DA98 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DA98
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO-3
 

 Аналог (замена) для 3DA98

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA98 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  inchange semiconductor
 3da98.pdf pdf_icon

3DA98

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 3DA98DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h >15@I = 1.5AFE CExcellent Safe Operating AreaMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as an output device in complementaryaudio amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 0.1. Size:209K  inchange semiconductor
 3da98b.pdf pdf_icon

3DA98

isc Silicon NPN Power Transistor 3DA98BDESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h >15@I = 1.5AFE CExcellent Safe Operating AreaMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as an output device in complementaryaudio amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base

 0.2. Size:208K  inchange semiconductor
 3da98a.pdf pdf_icon

3DA98

isc Silicon NPN Power Transistor 3DA98ADESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h >15@I = 1.5AFE CExcellent Safe Operating AreaMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as an output device in complementaryaudio amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base

 0.3. Size:182K  inchange semiconductor
 3da98j.pdf pdf_icon

3DA98

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 3DA98JDESCRIPTIONJ: High DC Current Gain- h : 30-501.5A/5VFEExcellent Safe Operating AreaMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as an output device in complementaryaudio amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD2901 , 2ST501T , 3CD9A , 3CD9B , 3CD9C , 3CD9D , 3CD9F , 3CF20D , D965 , 3DA98J , 3DD100A , 3DD100B , 3DD100C , 3DD100D , 3DD100E , 3DD101A , 3DD101B .

 

 
Back to Top

 


 
.