3DA98J. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 3DA98J
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: TO-3
Аналоги (замена) для 3DA98J
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
3DA98J даташит
3da98j.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 3DA98J DESCRIPTION J High DC Current Gain- h 30-50 1.5A/5V FE Excellent Safe Operating Area Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as an output device in complementary audio amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER
3da98b.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 3DA98B DESCRIPTION High DC Current Gain- h >15@I = 1.5A FE C Excellent Safe Operating Area Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as an output device in complementary audio amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base
3da98a.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 3DA98A DESCRIPTION High DC Current Gain- h >15@I = 1.5A FE C Excellent Safe Operating Area Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as an output device in complementary audio amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base
3da98.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 3DA98 DESCRIPTION High DC Current Gain- h >15@I = 1.5A FE C Excellent Safe Operating Area Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as an output device in complementary audio amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE
Другие транзисторы: 2ST501T, 3CD9A, 3CD9B, 3CD9C, 3CD9D, 3CD9F, 3CF20D, 3DA98, D965, 3DD100A, 3DD100B, 3DD100C, 3DD100D, 3DD100E, 3DD101A, 3DD101B, 3DD101C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60 | mp42b transistor
