Справочник транзисторов. 3DA98J

 

Биполярный транзистор 3DA98J Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DA98J
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO-3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

3DA98J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  inchange semiconductor
3da98j.pdfpdf_icon

3DA98J

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 3DA98JDESCRIPTIONJ: High DC Current Gain- h : 30-501.5A/5VFEExcellent Safe Operating AreaMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as an output device in complementaryaudio amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

 9.1. Size:209K  inchange semiconductor
3da98b.pdfpdf_icon

3DA98J

isc Silicon NPN Power Transistor 3DA98BDESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h >15@I = 1.5AFE CExcellent Safe Operating AreaMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as an output device in complementaryaudio amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base

 9.2. Size:208K  inchange semiconductor
3da98a.pdfpdf_icon

3DA98J

isc Silicon NPN Power Transistor 3DA98ADESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h >15@I = 1.5AFE CExcellent Safe Operating AreaMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as an output device in complementaryaudio amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base

 9.3. Size:183K  inchange semiconductor
3da98.pdfpdf_icon

3DA98J

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 3DA98DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h >15@I = 1.5AFE CExcellent Safe Operating AreaMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as an output device in complementaryaudio amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: ZTX857 | FTA1663 | MPQ3905R | HEPS5012 | SMMBTA56L | D45C11 | BDY23B

 

 
Back to Top

 


 
.