3DA98J - описание и поиск аналогов

 

3DA98J. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DA98J

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO-3

 Аналоги (замена) для 3DA98J

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA98J даташит

 ..1. Size:182K  inchange semiconductor
3da98j.pdfpdf_icon

3DA98J

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 3DA98J DESCRIPTION J High DC Current Gain- h 30-50 1.5A/5V FE Excellent Safe Operating Area Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as an output device in complementary audio amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER

 9.1. Size:209K  inchange semiconductor
3da98b.pdfpdf_icon

3DA98J

isc Silicon NPN Power Transistor 3DA98B DESCRIPTION High DC Current Gain- h >15@I = 1.5A FE C Excellent Safe Operating Area Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as an output device in complementary audio amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base

 9.2. Size:208K  inchange semiconductor
3da98a.pdfpdf_icon

3DA98J

isc Silicon NPN Power Transistor 3DA98A DESCRIPTION High DC Current Gain- h >15@I = 1.5A FE C Excellent Safe Operating Area Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as an output device in complementary audio amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base

 9.3. Size:183K  inchange semiconductor
3da98.pdfpdf_icon

3DA98J

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 3DA98 DESCRIPTION High DC Current Gain- h >15@I = 1.5A FE C Excellent Safe Operating Area Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as an output device in complementary audio amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

Другие транзисторы: 2ST501T, 3CD9A, 3CD9B, 3CD9C, 3CD9D, 3CD9F, 3CF20D, 3DA98, D965, 3DD100A, 3DD100B, 3DD100C, 3DD100D, 3DD100E, 3DD101A, 3DD101B, 3DD101C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.