3DD101A - описание и поиск аналогов

 

3DD101A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD101A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO-3

 Аналоги (замена) для 3DD101A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD101A даташит

 ..1. Size:191K  inchange semiconductor
3dd101a.pdfpdf_icon

3DD101A

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD101A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min.) (BR)CEO DC Current Gain- h = 20(Min.)@I = 2A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 0.8V(Max)@ I = 2.5A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier,DC-DC converter

 8.1. Size:150K  china
3dd101.pdfpdf_icon

3DD101A

3DD101/3DD102 NPN A B C D E F PCM TC=75 50 W ICM 5 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 2 /W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=3mA 100 150 200 250 300 350 V V(BR)CEO ICE=3mA 50 100 150 200 250 300 V V(BR)EBO IEB=1mA 4.0 V ICBO VCB=50V 0.

 8.2. Size:183K  inchange semiconductor
3dd101b.pdfpdf_icon

3DD101A

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 3DD101B DESCRIPTION With TO-3 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor ABSOLUTE

 8.3. Size:182K  inchange semiconductor
3dd101e.pdfpdf_icon

3DD101A

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 3DD101E DESCRIPTION With TO-3 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor ABSOLUTE

Другие транзисторы: 3CF20D, 3DA98, 3DA98J, 3DD100A, 3DD100B, 3DD100C, 3DD100D, 3DD100E, BC556, 3DD101B, 3DD101C, 3DD101D, 3DD101E, 3DD102A, 3DD102D, 3DD103E, 3DD104A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.