3DD159E datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 3DD159E 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15
Корпус транзистора: TO-3
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 3DD159E
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
3DD159E даташит
3dd159e.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 3DD159E DESCRIPTION With TO-3 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )
3dd159.pdf
3DD159 NPN A B C D E F G PCM TC=75 50 W ICM 5 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 2 /W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=3mA 80 150 200 250 350 400 600 V V(BR)CEO ICE=3mA 50 100 150 200 250 300 400 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=5
3dd159f.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 3DD159F DESCRIPTION With TO-3 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )
3dd159c.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 3DD159C DESCRIPTION With TO-3 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )
Другие транзисторы: 3DD104B, 3DD104C, 3DD104D, 3DD104E, 3DD159A, 3DD159B, 3DD159C, 3DD159D, A42, 3DD159F, 3DD167A, 3DD167B, 3DD167C, 3DD167D, 3DD167E, 3DD167F, 3DD200D
History: TMPA813S4
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73 | 2n3392

