Справочник транзисторов. 2SA1133A

 

Биполярный транзистор 2SA1133A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA1133A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для 2SA1133A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1133A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  jmnic
 2sa1133 2sa1133a.pdf pdf_icon

2SA1133A

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1133 2SA1133A DESCRIPTION With TO-220 package High breakdown voltage High power dissipation Complement to type 2SC2660/2660A APPLICATIONS For power amplifier and TV vertical deflection output applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified

 ..2. Size:90K  inchange semiconductor
 2sa1133 2sa1133a.pdf pdf_icon

2SA1133A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1133 2SA1133A DESCRIPTION With TO-220 package High breakdown voltage High power dissipation Complement to type 2SC2660/2660A APPLICATIONS For power amplifier and TV vertical deflection output applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base

 ..3. Size:209K  inchange semiconductor
 2sa1133a.pdf pdf_icon

2SA1133A

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1133ADESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = -180V (Min)(BR)CEOLarge Collector Power DissipationComplement to Type 2SC2660AMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier and TV vertical deflectionoutput applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

 7.1. Size:219K  inchange semiconductor
 2sa1133.pdf pdf_icon

2SA1133A

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1133DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = -150V (Min)(BR)CEOLarge Collector Power DissipationComplement to Type 2SC2660Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier and TV vertical deflectionoutput applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1124 , 2SA1125 , 2SA1126 , 2SA1127 , 2SA1128 , 2SA1129 , 2SA113 , 2SA1133 , 9014 , 2SA1135 , 2SA1136 , 2SA1137 , 2SA1138 , 2SA114 , 2SA1141 , 2SA1142 , 2SA1143 .

History: 2N1274GN

 

 
Back to Top

 


 
.