2SA1133A - описание и поиск аналогов

 

2SA1133A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA1133A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SA1133A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1133A даташит

 ..1. Size:156K  jmnic
 2sa1133 2sa1133a.pdf pdf_icon

2SA1133A

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1133 2SA1133A DESCRIPTION With TO-220 package High breakdown voltage High power dissipation Complement to type 2SC2660/2660A APPLICATIONS For power amplifier and TV vertical deflection output applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified

 ..2. Size:90K  inchange semiconductor
 2sa1133 2sa1133a.pdf pdf_icon

2SA1133A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1133 2SA1133A DESCRIPTION With TO-220 package High breakdown voltage High power dissipation Complement to type 2SC2660/2660A APPLICATIONS For power amplifier and TV vertical deflection output applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base

 ..3. Size:209K  inchange semiconductor
 2sa1133a.pdf pdf_icon

2SA1133A

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1133A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -180V (Min) (BR)CEO Large Collector Power Dissipation Complement to Type 2SC2660A Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier and TV vertical deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

 7.1. Size:219K  inchange semiconductor
 2sa1133.pdf pdf_icon

2SA1133A

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1133 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -150V (Min) (BR)CEO Large Collector Power Dissipation Complement to Type 2SC2660 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier and TV vertical deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA1124, 2SA1125, 2SA1126, 2SA1127, 2SA1128, 2SA1129, 2SA113, 2SA1133, BC558, 2SA1135, 2SA1136, 2SA1137, 2SA1138, 2SA114, 2SA1141, 2SA1142, 2SA1143

 

 

 

 

↑ Back to Top
.