2SB1531. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB1531

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5000

Корпус транзистора: SC65

 Аналоги (замена) для 2SB1531

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1531 даташит

 ..1. Size:185K  panasonic
2sb1531.pdfpdf_icon

2SB1531

Power Transistors 2SB1531 Silicon PNP epitaxial planar type Darlington For power amplification Unit mm Complementary to 2SD2340 15.0 0.5 4.5 0.2 13.0 0.5 10.5 0.5 2.0 0.1 Features Optimum for 40W HiFi output High foward current transfer ratio hFE 5000 to 30000 3.2 0.1 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)

 ..2. Size:222K  inchange semiconductor
2sb1531.pdfpdf_icon

2SB1531

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB1531 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 5000(Min)@I = -5A FE C Low-Collector Saturation Voltage- V = -2.5V(Max.)@I = -5A CE(sat) C Complement to Type 2SD2340 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 8.1. Size:39K  panasonic
2sb1537 e.pdfpdf_icon

2SB1531

Transistor 2SB1537 Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency amplification Unit mm Complementary to 2SD2357 1.5 0.1 4.5 0.1 Features 1.6 0.2 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Large collector power dissipation PC. 45 Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the maga- zin

 8.2. Size:36K  panasonic
2sb1539.pdfpdf_icon

2SB1531

Transistor 2SB1539 Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency amplification Unit mm Complementary to 2SD2359 1.5 0.1 4.5 0.1 Features 1.6 0.2 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Large collector power dissipation PC. 45 Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the maga- zin

Другие транзисторы: UPA801TC-GB, UPA805T, 2SA1069-Z, 2SA1261-Z, 2SA1358-Z, 2SAR586D3, 2SB1261-K, 2SB1468, TIP127, 2SB946A, 2SC1402, 2SC3353A, 2SC4538R, 2SC4573, 2SC4574, 2SC4652, 2SC4799