BU2507DX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU2507DX

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 68 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: SOT399

 Аналоги (замена) для BU2507DX

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2507DX даташит

 ..1. Size:42K  philips
bu2507dx.pdfpdf_icon

BU2507DX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2507DX GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrated damper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers and computer monitors. Features exceptional tole

 ..2. Size:217K  inchange semiconductor
bu2507dx.pdfpdf_icon

BU2507DX

isc Silicon NPN Power Transistor BU2507DX DESCRIPTION High Switching Speed High Voltage Built-in Ddamper Ddiode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of coluor TV receivers and computer monitors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V C

 7.1. Size:46K  philips
bu2507df.pdfpdf_icon

BU2507DX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2507DF GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrated damper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers and computer monitors. Features exceptional tole

 7.2. Size:213K  inchange semiconductor
bu2507df.pdfpdf_icon

BU2507DX

isc Silicon NPN Power Transistor BU2507DF DESCRIPTION High Switching Speed High Voltage Built-in Ddamper Ddiode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of coluor TV receivers and computer monitors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V C

Другие транзисторы: 3CA168, 3DD102C, 3DD15B, 3DD15D, 3DD4515, BD134, BDY96D, BU2507AX, S9018, BU2508AW, BU2508DW, BU2515AX, BU2520AW, BU2523AF, BU2523AX, BU2527AW, BU2532AL