Биполярный транзистор 2SC3907S - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC3907S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
Корпус транзистора: TO-3PML
2SC3907S Datasheet (PDF)
2sc3907s.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3907SDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 180V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1516SMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 80W high fidelity audio frequencyamplifier output stage applicatio
2sc3907.pdf
2SC3907 NPN PLANAR SILICON TRANSISTORAUDIO POWER AMPLIFIERDC TO DC CONVERTER SC-65 High Current Capability High Power Dissipation Complementary to 2SA1516 ABSOLUTE MAXIMUM RATING (T =25)ACharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 180 V Collector-Emitter Voltage VCEO 180 V Emitter-Base voltage VEBO 6 V Collector Current (DC) IC 12 A
2sc3907t4tl.pdf
2SC3907T4TLSilicon NPN Power TransistorDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 180V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1516APPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 80W high fidelity audio frequencyamplifier output stage applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base
2sc3907r 2sc3907o.pdf
SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SC3907DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 180V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1516APPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 80W high fidelity audio frequencyamplifier output stage applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAME
2sc3907.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3907DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 180V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1516Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 80W high fidelity audio frequencyamplifier output stage applications
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050