S2530A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: S2530A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO-3

 Аналоги (замена) для S2530A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

S2530A даташит

 ..1. Size:204K  inchange semiconductor
 s2530a.pdf pdf_icon

S2530A

isc Silicon NPN Power Transistor S2530A DESCRIPTION High Voltage-V = 450V(Min.) CEX Collector Current- I = 10A C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in large screen color deflection circuits . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Emitter Voltage 1000 V CBO

Другие транзисторы: DS15, J6920, KSA940TU, KSC2073TU, MJE15036, MJE15037, MJF13005, QM5HG-24, D209L, TIP127B, TIP35AB, TIP35AT, TIP36AB, TIP36AT, UM8168L, SS8550-L, SS8550-H