Биполярный транзистор C9012B-G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: C9012B-G
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 112
Корпус транзистора: TO92
C9012B-G Datasheet (PDF)
c9012b.pdf
TRANSISTOR C9012B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES IC -500mA Epitaxial silicon VCEO - 20V High switching speed PC 625mW C9013B Complementary to C9013B RoHS RoHS product APPLICATIONS High frequency switch power supply Commonly power amplifier
ktc9012.pdf
SEMICONDUCTOR KTC9012TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.B CFEATURESExcellent hFE Linearity.Complementary to KTC9013.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00MAXIMUM RATING (Ta=25)F 1.27G 0.85CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITH 0.45_HJ 14.00 + 0.50VCBO -40
ktc9012s.pdf
SEMICONDUCTOR KTC9012STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EL B LFEATURESDIM MILLIMETERS_Excellent hFE Linearity.+A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15Complementary to KTC9013S.C 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.201G 1.90H 0.95J 0.13+0.10/-0.05K 0.00 ~ 0.10QMAXIMUM RATING (Ta=25)
ktc9012sc.pdf
SEMICONDUCTOR KTC9012SCTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.FEATURESExcellent hFE Linearity.Complementary to KTC9013SC.MAXIMUM RATING (Ta=25)CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITVCBO -40 VCollector-Base VoltageVCEO -30 VCollector-Emitter VoltageVEBOEmitter-Base Voltage -5 VICCollector Current -500 mA
ftc9012s.pdf
SEMICONDUCTORFTC9012STECHNICAL DATAXGeneral Purpose TransistorsPNP SiliconFEATURE3We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.2ORDERING INFORMATION1DevicePackageShippingSOT-23FTC9012SX SOT 23 FTC9012SX10000/Tape&ReelSOT-233COLLECTOR1MAXIMUM RATINGS BASERating Symbol Value Unit2Collector-Emitter Voltage VCEO 2
c9012a.pdf
TRANSISTOR C9012A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES IC -100mA Epitaxial silicon VCEO - 20V High switching speed PC 450mW RoHS RoHS product APPLICATIONS High frequency switch power supply Commonly power amplifier circuit High frequency power
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050