C945AF-Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: C945AF-Q

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 52 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 135

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для C945AF-Q

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

C945AF-Q даташит

 8.1. Size:468K  feihonltd
 c945af.pdf pdf_icon

C945AF-Q

TRANSISTOR C945AF MAIN CHARACTERISTICS FEATURES IC 150mA Epitaxial silicon VCEO 52V High switching speed VCBO 70V RoHS RoHS product PC 400mW APPLICATIONS High frequency switch power supply Commonly power amplifier circuit High frequency p

 9.1. Size:309K  cystek
 btc945a3.pdf pdf_icon

C945AF-Q

Другие транзисторы: C9013-H-D, C9013-H-E, C9013-H-F, C9013-H-G, C9013-H-H, C9013-H-I, C945AF, C945AF-R, S8050, C945AF-P, C945AF-K, C945B, C945B-R, C945B-Q, C945B-P, C945B-K, D667A