Справочник транзисторов. D882B-R

 

Биполярный транзистор D882B-R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: D882B-R
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90(typ) MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для D882B-R

 

 

D882B-R Datasheet (PDF)

 9.1. Size:706K  blue-rocket-elect
2sd882b.pdf

D882B-R
D882B-R

2SD882B(BR3DA882BR) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 NPN Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. / Features V ,h CE(sat) FELow saturation voltage, excellent hFE linearity and high hFE. / Applications 3 ,,

 9.2. Size:426K  feihonltd
d882b.pdf

D882B-R
D882B-R

MAIN CHARACTERISTICS FEATURES IC 3A Epitaxial silicon VCEO 30V PC 1.0W High switching speed B722 Complementary to B772 RoHS RoHS product APPLICATIONS High frequency switch power supply Commonly power amplifier circuit High frequen

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top