D882B-E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D882B-E

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 typ MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для D882B-E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D882B-E даташит

 9.1. Size:706K  blue-rocket-elect
 2sd882b.pdf pdf_icon

D882B-E

 9.2. Size:426K  feihonltd
 d882b.pdf pdf_icon

D882B-E

MAIN CHARACTERISTICS FEATURES IC 3A Epitaxial silicon VCEO 30V PC 1.0W High switching speed B722 Complementary to B772 RoHS RoHS product APPLICATIONS High frequency switch power supply Commonly power amplifier circuit High frequen

Другие транзисторы: D880C, D880C-O, D880C-Y, D880C-G, D882B, D882B-R, D882B-Q, D882B-P, A733, D965A, D965A-P, D965A-Q, D965A-R, D965A-S, E13003DA, FHA13009A, FHA13009A-H1